如今的台积高端计算芯片越来越庞大，台积电也在想尽办法应对，功耗如今正在深入推进CoWoS封装技术，巨型号称可以打造面积接近8000平方毫米 、芯片性功耗1000W级别的飙升倍巨型芯片
，而性能可比标准处理器高出足足40倍。台积

目前 ，功耗台积电CoWoS封装芯片的巨型中介层面积最大可以做到2831平方毫米，是芯片性台积电光罩尺寸极限的大约3.3倍——EUV极紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，台积电用的飙升倍是830平方毫米。

NVIDIA B200 、台积AMD MI300X等芯片 ，功耗用的巨型都是这种封装，将大型计算模块和多个HBM内存芯片整合在一起 。芯片性

明年或稍晚些时候，飙升倍台积电会推出下一代CoWoS-L封装技术，中介层面积可以做到4719平方毫米
，是光罩极限的大约5.5倍 ，同时需要10000平方毫米(100x100毫米)的大型基板
。

它可以整合最多12颗HBM内存 ，包括下一代HBM4。

这还不算完 ，台积电还计划进一步将中介层做到7885平方毫米，也就是光照极限的约9.5倍 ，并需要18000平方毫米的基板
，从而封装最多4颗计算芯片、12颗HBM内存 ，以及其他IP。

要知道
，这已经超过了一个标准的CD光盘盒(一般142×125毫米)!

仍然没完，台积电还在继续研究SoW-X晶圆级封装技术，目前只有Cerabras、特斯拉使用 
。

如此巨型芯片除了需要复杂的封装技术，更会带来高功耗
、高发热的挑战 ，台积电预计能达到1000W级别。

为此 ，台积电计划在CoWoS-L封装内的RDL中介层上 ，直接集成一整颗电源管理IC，从而缩短供电距离，减少有源IC数量，降低寄生电阻，改进系统级供电效率 。

这颗电源管理IC会使用台积电N16工艺 、TSV硅通孔技术制造。

散热方面，直触式液冷、浸没式液冷，都是必须要考虑的
。

另外，OAM 2.0模块形态的尺寸为102×165毫米
，100×100毫米基板已经接近极限，120×150毫米就超过了 
，因此需要行业同步制定新的OAM形态标准。