上个月有报道称 ，星加三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的快H开DRAM生产线 ，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备 ，计划为HBM4的年末量产铺平道路
。1cnm属于第六代10nm级别工艺
 ，量产电路线宽约为11-12nm ，星加预计今年进入商业化生产，快H开三星打算用于生产HBM4的计划DRAM芯片
。

据Notebookcheck报道，年末三星已完成了HBM4的量产逻辑芯片开发工作 ，并启动了4nm试生产工作（用于HBM4的星加基础裸片）
，标志着向2025年下半年量产迈出了一大步 。快H开过去一段时间里 ，计划三星明显加快了HBM4的年末开发步伐，比原计划提前了大约半年 ，量产以便争取英伟达这类关键客户的订单，预计将用于下一代Rubin架构GPU ，预计2026年上市
。除了英伟达外，三星还将目光投向了微软和Meta的新一代定制芯片。

此前三星在ISSCC 2024上分享了一些技术细节，显示HBM4将提供巨大的性能提升，数据传输速率高达2TB/s，比HBM3E快了约66%。同时还将支持6.4GT/s的接口运行速度，接口位宽为2048位，最大提供48GB容量也比当前一代产品提升了约33%。三星还与台积电达成协议
，共同开发HBM4，这也是双方首次在人工智能（AI）芯片领域展开合作。

除了HBM4定制化工作外 ，三星还将重点转向集成AI计算能力和特定数据处理功能，以满足不断变化的需求。传闻三星可能选择转向PIM技术，使内存芯片本身可以执行CPU 、GPU
、ASIC或FPGA的操作
。这种做法可以将处理操作转移到HBM本身，从而减轻了内存与一般处理器之间转移数据的负担。